Samsung Electronics anunció en la GPU Technology Conference de NVIDIA su nueva memoria tope de gama. Se trata de la Flashbolt HBM2E, la evolución de la HBM2, enfocada a un segmento de memoria de alto rendimiento, para la próxima generación de procesadores, Inteligencia Artificial y GPUs.
Esta memoria ofrece una velocidad de transferencia de 3.2 Gbps por pin, un 33% más rápida que la memoria HBM2 que se utiliza actualmente. Duplica la capacidad de esta última dado que cada die es de 16 GB llegando a ofrecer un ancho de banda de 410 GB/s.
Esta memoria HBM2E sería un modelo intermedio de la surcoreana antes de lanzar la HBM3, que en teoría se lanzaría el año que viene, en 2020.
El rendimiento líder de la industria de Flashbolt permitirá soluciones mejoradas para los centros de datos de próxima generación, inteligencia artificial, aprendizaje automático y aplicaciones de gráficos. Continuaremos expandiendo nuestra oferta de DRAM premium y mejoraremos nuestro segmento de memoria de alto rendimiento, alta capacidad y bajo consumo de energía para satisfacer la demanda del mercado, Jinman Han, vicepresidente senior del Equipo de Ingeniería de Aplicaciones y Planificación de Productos de Memoria de Samsung Electronics.
En dicho evento no se especificaron fechas o detalles sobre su producción, por lo que todavía no hay datos de cuándo llegarán los primeros dispositivos con estas memorias.
