En el marco del Flash Memory Summit, Toshiba anunció el que se encuentra trabajando en la tecnología 3D XL-Flash. La empresa busca llevar memorias 3D NAND de baja latencia al mercado donde hoy están presentes las tecnologías Optane y 3D XPoint.
Según Toshiba, su enfoque hacia el NAND de baja latencia podría reducir los valores de latencia a sólo 1/10 del precio actual del NAND TLC.
Esta arquitectura NAND con XL-Flash sería el equivalente a la Z-NAND en la que está trabajando Samsung. El objetivo es bajar los costos de producción que tiene hoy Optane. Toshiba seguirá usando la tecnología flash BiCS, y tiene pensado implementar XL-Flash en implementaciones SLC en un principio, para mejorar la performance, permitiendo pasar de 7 microsegundos frente a los 30 microsegundos con QLC.
Si bien se reducirá la densidad en el almacenamiento, la idea es entregar algo similar a Optane, con un tamaño igual o mejor a un precio más bajo.
El trabajo de Toshiba para aumentar la performance ha sido acortar líneas de bits y líneas de palabras, además de conexiones internas entre celdas, y se han sumados planos y regiones independientes para acceder de forma simultánea. Esto significa menor latencia y mejor rendimiento.
Toshiba busca impulsar XL-Flash como el estándar en memoria caché en unidades QLC de alta densidad, compitiendo con Optane y Z-Nand.
